早曝光出来,对于后面的发展极为不利。

    从光刻工厂实验工厂顺利完成芯片制造之后,发生的事情就和所预料的那样。

    虽然说,王东来已经研发出了EDA设计软件和光刻胶之类的核心设备以及材料。

    但这并不代表着我们就完全解决了光刻领域的技术难关。

    就像是现在,在集合了全国的尖端人才,还是卡在了照明系统这里。

    在光刻机里面,照明系统看似不起眼,实际却很重要。

    可以这么说,能出现在光刻机里面的技术和材料,就没有一个是简单的。

    工业技术皇冠的明珠,这绝对不是虚言。

    回到euv光刻机上面,利用极深紫外光成像,做到原子极的光滑度,来保证光刻精度和能量效率。

    镜面稍微有一点问题,或是凸起,或是凹陷,又或者尺寸不对,都会造成 euv光线的严重散射和衍射,从而导致光线传播方向偏离,最后晶圆上的电路图案出现错位等问题。

    芯片的良品率就不用想了,低的吓人。

    而这还只是在光刻机上面,当扩大到光刻工厂的时候,情况就更加复杂了。

    精度不变,但是因为规模放大了,控制准度就呈指数上升。

    本来,国内的技术连光刻机里的照明系统都无法完成,达到国际一流水平。

    现在,又放到了光刻工厂上面,难度自然是极大的。

    固然说是之前的光刻工厂实验工厂已经获得成功,但这并不代表着就能完全照搬。

    王东来把相关技术的大门都已经打开了。

    原本想着以调集的全国尖端科研人才,应该是可以研发下去的。

    结果,三天两头就遇到问题,然后来找王东来解决。

    这也正是他一直泡在实验室里的原因。

    通常遇到这样的技术难题,王东来就算是再怎么谈起,也会在第一时间解决。

    毕竟,光刻工厂这个技术,对于目前的国内来说,还是严重超标了。

    甚至于,为了更早地建成,他都已经把很多技术进行了简化,降低了要求标准。

    现在到了这一步,他也只能咬牙坚持下去了。

    总不能,让这么大的一个项目成为笑话。

    而就在他细细斟酌如何写离子束抛光、磁控溅射技术方案的时候。

    一个电话打了过来,是从魔都打过来的。

    接过电话,简单

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